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UVLED結構組成

時間:2020-11-09 14:17來源:未知點擊:
UVLED(紫外線LED)由一個或多個InGaN量子阱夾在較薄的GaN三明治結構之間組成,形成的有效區域是一個覆蓋層。 通過將InN-GaN的相對比例更改為InGaN量子阱,可以將發射波長從紫光

更改為其他光。
AlGaN可以通過更改AlN比例來制作UVLED量子阱層的包層,但是這些設備的效率和成熟度很差。 如果活性的量子阱層是GaN,則相反的是InGaN或AlGaN合金

,則器件發射的光譜范圍為350?370nm。


當LED泵上的藍色InGaN電子脈沖短時,會產生紫外線。 含鋁的氮化物,特別是AlGaNAlGaInN可以制成短波長器件,并獲得串聯波長UVLED。 波長高達

247nm的二極管已經商品化,基于氮化鋁可以發射210nm紫外線的發光二極管已經成功開發,并且在250?270nm波段的UVLED也正在開發中。


III-V族金屬氮化物基半導體非常適合制造紫外線輻射源。 以AlGaInN為例,在室溫下,隨著各組分比例的變化,復合過程中電子和空穴的輻射能量為1.89?6.2eV。 如果LED

的有源層由GaN或AlGaN組成,則其紫外線輻射效率非常低,因為電子和空穴之間的復合是非輻射復合。 如果在此層中摻雜少量金屬In,則有源層的局部能級將發生變化。


這時,電子和空穴將發生輻射復合。 因此,當有源層中摻雜有金屬銦時,在380nm處的輻射效率比未摻雜時高19倍。


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