如何理解UVLED光固化的基本原理
時(shí)間:2020-11-19 17:25來源:未知點(diǎn)擊: 次
UVLED是一種LED,是單個(gè)波長的不可見光,通常在420nm以下。 主要有365nm和395nm。
UVLED光固化通常使用365nm的波長。 通過特殊設(shè)計(jì),
UVLED可以發(fā)出完整的連續(xù)紫外光帶,以滿足封邊,印刷等領(lǐng)域的生產(chǎn)需求。
線光源壽命長,
冷光源,無熱輻射,壽命不受開閉次數(shù)的影響,能量高,照射均勻,提高了生產(chǎn)效率,不含有毒物質(zhì),更安全,更環(huán)保 比傳統(tǒng)光源
UVLED(紫外線LED)由一個(gè)或更多個(gè)
InGaN量子阱夾在較薄的
GaN三明治結(jié)構(gòu)之間組成,形成的有源區(qū)是一個(gè)覆蓋層。 通過將InN-GaN的相對比例更改為
InGaN量子阱,可以將發(fā)射波長從紫光變?yōu)槠渌狻?通過更改
AlN比例,可以使用
AlGaN來制作
UVLED和
量子阱層的包層,但是這些設(shè)備的效率和成熟度都很差。 如果活性的
量子阱層是GaN,與InGaN或
AlGaN合金相反,則器件發(fā)射的光譜范圍為350?370nm。
當(dāng)LED泵上的
藍(lán)色I(xiàn)nGaN短電子脈沖時(shí),會產(chǎn)生紫外線。 含鋁的氮化物,特別是
AlGaN和
AlGaInN可以制成短波長器件,并獲得串聯(lián)波長
UVLED。 波長高達(dá)247nm的二極管已經(jīng)商業(yè)化,基于
氮化鋁且可發(fā)出210nm紫外線輻射的LED已成功開發(fā),并且在250?270nm波段的
UVLED也正在大力發(fā)展。
III-
V族金屬氮化物基半導(dǎo)體非常適合制造紫外線輻射源。 以
AlGaInN為例,在室溫下,隨著各組分比例的變化,復(fù)合過程中電子和空穴的輻射能量為1.89?6.2eV。 如果LED的有源層僅由GaN或
AlGaN組成,則其紫外線輻射效率非常低,因?yàn)殡娮雍涂昭ㄖg的復(fù)合是非輻射復(fù)合。 如果在此層中摻雜少量金屬In,則有源層的局部能級將發(fā)生變化。 此時(shí),電子和空穴將發(fā)生輻射復(fù)合。 因此,當(dāng)有源層中摻雜有金屬銦時(shí),在380nm處的輻射效率比未摻雜時(shí)高19倍。
UVLED光固化的原理:使用
UVLED固化產(chǎn)生的特定紫外線波長與UV油墨中的
UV涂料,UV膠和
UV固化劑反應(yīng),以實(shí)現(xiàn)快速固化。
深圳市三昆科技有限公司專業(yè)生產(chǎn)
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