uvled固化設備廠家三昆與您討論美國開發的UVLED的波長和最短
時間:2021-01-22 11:27來源:未知點擊: 次
被稱為殺手 UV-C UV,波長僅為 200 至 280 納米,具有高能量,可以穿透病毒,細菌,真菌和粉塵膜 螨蟲攻擊 DNA 并破壞這些有害生物。
uvled固化設備廠家三昆科技將與您討論在美國開發的UVLED的波長和最短情況 被稱為殺手 UV-C UV,該波長僅 200 至 280 納米,高能,可以穿透病毒,細菌,真菌和塵螨的膜,攻擊 DNA 并破壞這些有害生物。 自丹麥教授
Niels Finsen 發現UV可用于固化結核病以來,人類使用UV進行滅菌已有100多年的歷史了。 但是,目前使用的深UV燈不僅體積大且效率低下,而且還含有對環境有害的汞。
美國康奈爾大學的研究小組最近開發了一種小型且更環保的深紫外LED光源,這為當前的工業 deep-UV [ 記錄LED的最低波長 。
研究人員使用具有原子能級控制界面的
氮化鎵(GaN)和
氮化鋁(AlN)單層膜作為反應區域,成功發射了 232 至 270 納米深UV LED 。 這種 232 納米的深UV記錄了使用
氮化鎵作為發光材料發出的最短波長的光的記錄。 之前的記錄是日本團隊創造的239nm。
提高LED-UV的效率
當前,LED-UV的最大瓶頸是發光效率,可以通過三個方面來衡量:
1. 注入效率:通過設備注入反應區的電子比例。
2.
內量子效率(IQE):反應區域中所有電子產生的光子或UV的比例。
3. 光提取效率:在反應區域中產生的光子所占的比例,這些光子可以從設備中取出并使用。
論文的作者之一 SM (
Moudud)
Islam 說:“如果以上三個方面的效率達到 50%,乘積僅為八分之一,這意味著發光效率已降至 12%。“
在深UV帶中,這三個方面的效率都非常低,但是研究小組發現使用
氮化鎵代替傳統的
鋁氮化鎵可以提高
內量子效率和光效率。 為了提高注入效率,研究團隊使用先前開發的技術在正極(電子)和負極(空穴)載流子區域中實現了極化感應摻雜方法。
研發
成功提高深UV LED 的發光效率后,研究團隊的下一步是將光源集成到設備中并朝著目標邁進 上市。 深UV的應用領域包括食品保鮮,假幣識別,光催化劑,水凈化和殺菌等。
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