uvled原理
時間:2021-03-25 08:09來源:未知點(diǎn)擊: 次
1.
UVLED發(fā)光機(jī)理:PN結(jié)的端電壓構(gòu)成一定的勢壘。 當(dāng)
正向偏置電壓時勢壘減小時,P區(qū)域和N區(qū)域中的多數(shù)載流子彼此擴(kuò)散。 由于
電子遷移率的遷移率遠(yuǎn)大于空穴的遷移率,因此大量電子將擴(kuò)散到P區(qū),從而在P區(qū)中注入少數(shù)載流子。 這些電子與價帶中的空穴復(fù)合,并且在復(fù)合期間獲得的能量以光能的形式釋放。 這就是PN結(jié)發(fā)光的原理。
2,
UVLED發(fā)光效率:通常稱為組分的外部
量子效率,是組分內(nèi)部的
量子效率與組分提取效率的乘積。 所謂的組件內(nèi)部
量子效率實(shí)際上就是組件本身的電光轉(zhuǎn)換效率,這主要與組件本身的特性(例如組件材料的能帶,缺陷和雜質(zhì))有關(guān)。),勢壘晶體的組成成分和結(jié)構(gòu)。 組件的提取效率是指組件內(nèi)部產(chǎn)生的光子數(shù),在組件自身吸收,折射和反射之后,實(shí)際上可以在組件外部對其進(jìn)行測量。 因此,與提取效率相關(guān)的因素包括組分材料本身的吸收,組分的幾何結(jié)構(gòu),組分和包裝材料的
折射率差以及組分結(jié)構(gòu)的散射特性。 成分的內(nèi)部
量子效率與成分的提取效率的乘積是整個成分的發(fā)光效果,即成分的外部
量子效率。 早期組件開發(fā)的重點(diǎn)是改善其內(nèi)部
量子效率,主要方法是提高勢壘晶體的質(zhì)量并改變勢壘晶體的結(jié)構(gòu),以使電能不容易轉(zhuǎn)化為熱量,然后間接增加發(fā)光量
UVLED的效率,從而獲得70%左右的理論內(nèi)部
量子效率,但是這樣的內(nèi)部
量子效率幾乎接近理論極限。 在這種情況下,僅通過增加模塊內(nèi)部
量子效率就不可能增加模塊的總光量。 因此,提高模塊的提取效率已成為重要的研究課題。 當(dāng)前的方法主要是:改變晶粒形狀
TIP結(jié)構(gòu),進(jìn)行表面粗糙化技術(shù)。
3,
UVLED電氣特性:電流控制裝置,
負(fù)載特性UI曲線類似于PN結(jié),正向方向的很小變化
導(dǎo)通電壓將引起正向電流的較大變化(指數(shù)級),
反向漏電流非常小,有
反向擊穿電壓。 在實(shí)際使用中,您應(yīng)該選擇。
UVLED正向電壓隨著溫度的升高而變小,
負(fù)溫度系數(shù)。
UVLED消耗功率,其中一部分被轉(zhuǎn)換為光能,這是我們所需要的。 其余部分轉(zhuǎn)化為熱量,從而提高了結(jié)溫。 耗散的熱量(功率)可以表示為。
4.
UVLED光學(xué)特性:
UVLED提供具有較大半寬度的單色光。 由于半導(dǎo)體的能隙隨著溫度的升高而減小,因此其發(fā)射的峰值波長隨溫度的升高而增加,即光譜紅移,
溫度系數(shù)為+ 2?3A /。
UVLED發(fā)光亮度L和正向電流。 隨著電流的增加,發(fā)光亮度也大約增加。 另外,發(fā)光亮度也與環(huán)境溫度有關(guān)。 當(dāng)環(huán)境溫度高時,復(fù)合效率降低并且發(fā)光強(qiáng)度降低。5.
UVLED熱學(xué)特性:小電流下LED溫升不明顯。 如果環(huán)境溫度高,
UVLED的主波長將發(fā)生紅移,亮度會降低,并且光的均勻性和一致性會變差。 尤其是,點(diǎn)矩陣和大型顯示屏的溫度上升對LED的可靠性和穩(wěn)定性具有更大的影響。 因此散熱設(shè)計非常重要。
UVled光源 6,
UVLED壽命:
UVLED長期工作會由于光衰減而引起老化,特別是對于高功率的
UVLED,光衰減的問題更為嚴(yán)重。 在測量
UVLED的壽命時,僅將燈泡的損壞作為
UVLED壽命的終點(diǎn)是不夠的。LED的壽命應(yīng)由
UVLED的光衰減百分比指定,例如35%,這更有意義。。
7。 大功率
UVLED包裝:主要考慮散熱和發(fā)光。 關(guān)于散熱,請使用
銅基熱襯,然后連接至
鋁基散熱器。 芯片和散熱片通過焊接連接。 這種散熱方法效果更好,性價比更高。 在發(fā)光方面,采用倒裝芯片技術(shù),并且在底面和側(cè)面上添加反射面以反射浪費(fèi)的光能,從而可以獲得更多的消光光。
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